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低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法

专利名称:	低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010271248.3
专利号:
申请日期:	2010-8-31
第一发明人:	宋三年
第一发明人英文:
其他发明人:	宋志棠; 吕业刚
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-11-14
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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