2025年6月5日 星期四
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能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器
专利名称: 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器
专利类别: 发明
申请号: 201010289950.2
申请日期: 2010-9-21
第一发明人: 蔡道林
其他发明人: 宋志棠; 陈后鹏
专利授权日期: 2012-10-10
其他备注: 授权