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用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法

专利名称:	用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2010102903029
专利号:
申请日期:	2010-9-25
第一发明人:	顾溢
第一发明人英文:
其他发明人:	张永刚
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2013-3-13
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: