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基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法

专利名称:	基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010292303.7
专利号:
申请日期:	2010-9-26
第一发明人:	刘燕
第一发明人英文:
其他发明人:	宋志棠; 凌云; 龚岳峰; 李宜谨
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-4-18
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: