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一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法

专利名称:	一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010532715.3
专利号:
申请日期:	2010-11-4
第一发明人:	黄晓橹
第一发明人英文:
其他发明人:	魏星; 程新红; 陈静; 张苗; 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2013-3-20
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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