专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

用于相变存储器的Sb2TeX-SiO2纳米复合相变材料及制备方法

专利名称:	用于相变存储器的Sb2TeX-SiO2纳米复合相变材料及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010569991.7
专利号:
申请日期:	2010-12-2
第一发明人:	宋志棠
第一发明人英文:
其他发明人:	朱敏; 吴良才; 饶峰; 张挺
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2013-7-31
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: