2025年6月8日 星期日
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用于相变存储器的Sb2TeX-SiO2纳米复合相变材料及制备方法
专利名称: 用于相变存储器的Sb2TeX-SiO2纳米复合相变材料及制备方法
专利类别: 发明
申请号: 201010569991.7
申请日期: 2010-12-2
第一发明人: 宋志棠
其他发明人: 朱敏; 吴良才; 饶峰; 张挺
专利授权日期: 2013-7-31
其他备注: 授权