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一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法

专利名称:	一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010619508.1
专利号:
申请日期:	2010-12-31
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-7-11
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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