2025年5月5日 星期一
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一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法
专利名称: 一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法
专利类别: 发明
申请号: 201110118753.9
申请日期: 2011-5-9
第一发明人: 曹俊诚
其他发明人: 徐公杰; 伍滨和
专利授权日期: 2013-5-8
其他备注: 授权