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一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法

专利名称:	一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2013106762875
专利号:
申请日期:	2013-12-11
第一发明人:	王庶民
第一发明人英文:
其他发明人:	李耀耀龚谦程新红
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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