专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

交叉栅结构MOSFET 及多叉指栅结构MOSFET 的版图设计

专利名称:	交叉栅结构MOSFET 及多叉指栅结构MOSFET 的版图设计
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2014100774657？
专利号:
申请日期:	2014-3-4
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	吕凯; 罗杰馨; 何伟伟; 杨燕; 柴展; 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: