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一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法

专利名称:	一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201410307391.1
专利号:
申请日期:	2014-6-30
第一发明人:	王斌
第一发明人英文:
其他发明人:	于广辉、赵智德、徐伟、隋妍萍、张燕辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: