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一种相变存储器单元的制作方法
专利名称: 一种相变存储器单元的制作方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 2014103358070?
专利号:
申请日期: 2014-7-15
第一发明人: 刘波
第一发明人英文:
其他发明人: 高丹; 宋志棠; 詹奕鹏; 封松林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
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国外授权日期: