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用于相变存储器的V-Sb-Te 相变材料体系及其制备方法

专利名称:	用于相变存储器的V-Sb-Te 相变材料体系及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2014105221994？
专利号:
申请日期:	2014-9-30
第一发明人:	纪兴龙
第一发明人英文:
其他发明人:	吴良才; 朱敏; 饶峰; 宋志棠; 曹良良; 孟云; 封松林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
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国外授权日期: