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一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法

专利名称:	一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015109525936
专利号:
申请日期:	2015-12-16
第一发明人:	陈星佑
第一发明人英文:
其他发明人:	张永刚、顾溢、马英杰
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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国外授权日期:

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