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用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法

专利名称:	用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015110282460？
专利号:
申请日期:	2015-12-31
第一发明人:	杨恒
第一发明人英文:
其他发明人:	豆传国; 戈肖鸿; 吴燕红; 李昕欣
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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