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基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法

专利名称:	基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201510401391.2
专利号:
申请日期:	2015-7-9
第一发明人:	张浩然
第一发明人英文:
其他发明人:	于广辉、张燕辉、张亚欠、陈志蓥、隋妍萍
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
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国外授权日期: