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一种SOI MOS器件及其制作方法

专利名称:	一种SOI MOS器件及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201610008650X？
专利号:
申请日期:	2016-1-7
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	何伟伟; 罗杰馨; 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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