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基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法

专利名称:	基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2016103007745？
专利号:
申请日期:	2016-5-9
第一发明人:	俞文杰
第一发明人英文:
其他发明人:	费璐; 刘强; 刘畅; 文娇; 王翼泽; 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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