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一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法

专利名称:	一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2016103892419？
专利号:
申请日期:	2016-6-2
第一发明人:	王浩敏
第一发明人英文:
其他发明人:	谢红; 李蕾; 王慧山; 谢晓明
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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