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利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法

专利名称:	利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2016105279068？
专利号:
申请日期:	2016-7-6
第一发明人:	欧欣
第一发明人英文:
其他发明人:	游天桂黄凯贾棋伊艾伦王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: