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一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法

专利名称:	一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201610527885X？
专利号:
申请日期:	2016-7-6
第一发明人:	欧欣
第一发明人英文:
其他发明人:	黄凯贾棋游天桂王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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