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基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置

专利名称:	基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置
专利名称英文:	Amorphous Silicon Growth Method and Device Based on Magnetic Field Interference Plasma
专利类别:	发明
申请号:	201610840597X
专利号:
申请日期:	2016-9-21
第一发明人:	刘文柱
第一发明人英文:
其他发明人:	陈仁芳吴卓鹏张丽平孟凡英刘正新
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
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专利摘要:
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国外授权日期: