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氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法

专利名称:	氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201710031318X？
专利号:
申请日期:	2017/1/17
第一发明人:	王会武
第一发明人英文:
其他发明人:	刘全胜; 张栖瑜; 应利良; 王镇
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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国外授权日期:

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