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双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池

专利名称:	双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2017206456163？
专利号:
申请日期:	2017/6/6
第一发明人:	刘正新
第一发明人英文:
其他发明人:	孟凡英; 张丽平; 石建华; 俞健; 刘金宁; 刘毓成
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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