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SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法

专利名称:	SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2017107370982？
专利号:
申请日期:	2017/8/24
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	王谦; 郑理; 沈玲燕; 张栋梁; 顾子悦; 钱茹; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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