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制作垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的方法

专利名称:	制作垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201710872129.5
专利号:
申请日期:	2017/9/25
第一发明人:	李铁
第一发明人英文:
其他发明人:	何云乾、王跃林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
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实施情况:
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专利证书号:
专利摘要:
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