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用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路

专利名称:	用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201711144435.3
专利号:
申请日期:	2017/11/17
第一发明人:	徐大伟
第一发明人英文:
其他发明人:	朱弘月、董业民、李新昌、徐超
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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