2025年6月11日 星期三
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一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路
专利名称: 一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路
申请号: 201711250882.7
申请日期: 2017/12/1
第一发明人: 单毅
其他发明人: 董业民