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一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构

专利名称:	一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201711395423.8
专利号:
申请日期:	2017/12/21
第一发明人:	豆传国
第一发明人英文:
其他发明人:	杨恒，孙珂，戈肖鸿，吴燕红，李昕欣
其他发明人英文:
国外申请日期:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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