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SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法

专利名称:	SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201810130075X？
专利号:
申请日期:	2018/2/8
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	许灵达; 柴展; 王硕
其他发明人英文:
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国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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