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半导体陷光结构及其制备方法

专利名称:	半导体陷光结构及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2018112297905
专利号:
申请日期:	2018/10/22
第一发明人:	欧欣
第一发明人英文:
其他发明人:	黄浩；张师斌；游天桂；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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