2025年7月8日 星期二
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半导体陷光结构及其制备方法
专利名称: 半导体陷光结构及其制备方法
申请号: 2018112297905
申请日期: 2018/10/22
第一发明人: 欧欣
其他发明人: 黄浩;张师斌;游天桂;