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SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法

专利名称:	SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201811301868X
专利号:
申请日期:	2018/11/2
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	王硕；王本艳；柴展；葛浩；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
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国外授权日期: