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一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路

专利名称:	一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201811406131.4
专利号:
申请日期:	2018/11/23
第一发明人:	龚正辉
第一发明人英文:
其他发明人:	董业民、杨文伟、陈晓杰
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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