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三维MRAM存储结构及其制作方法

专利名称:	三维MRAM存储结构及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2018114952126
专利号:
申请日期:	2018/12/7
第一发明人:	刘强
第一发明人英文:
其他发明人:	俞文杰；陈治西；刘晨鹤；任青华；赵兰天；陈玲丽；王曦；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
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专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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