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用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法

专利名称:	用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2019100679087
专利号:
申请日期:	2019/1/24
第一发明人:	李昕欣
第一发明人英文:
其他发明人:	于海涛；许鹏程；李伟；王雪晴；李明；
其他发明人英文:
国外申请日期:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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国外授权日期:

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