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存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法

专利名称:	存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2019101509685
专利号:
申请日期:	2019/2/28
第一发明人:	郎莉莉
第一发明人英文:
其他发明人:	叶力；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
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专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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