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相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器

专利名称:	相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2019102333859
专利号:
申请日期:	2019/3/26
第一发明人:	宋志棠
第一发明人英文:
其他发明人:	郑龙；宋三年；任堃；朱敏；宋文雄；
其他发明人英文:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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