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相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器
专利名称: 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2019102333859
专利号:
申请日期: 2019/3/26
第一发明人: 宋志棠
第一发明人英文:
其他发明人: 郑龙;宋三年;任堃;朱敏;宋文雄;
其他发明人英文:
国外申请日期:
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缴费情况:
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实施情况:
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