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一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法

专利名称:	一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201910658855.6
专利号:
申请日期:	2019/7/22
第一发明人:	李卓君
第一发明人英文:
其他发明人:	宋叶凯、彭炜、牟刚、谢晓明、江绵恒
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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