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全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路

专利名称:	全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2019106724103
专利号:
申请日期:	2019/7/24
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	葛浩；田明；商干兵；卢剑萍；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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