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半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法

专利名称:	半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	201911012066.1
专利号:
申请日期:	2019/10/23
第一发明人:	陈晓杰
第一发明人英文:
其他发明人:	董业民,单毅,刘艳,龚正辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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