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氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法

专利名称:	氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2019111744677
专利号:
申请日期:	2019/11/26
第一发明人:	欧欣
第一发明人英文:
其他发明人:	徐文慧；游天桂；沈正皓；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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