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钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法

专利名称:	钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202010270672X
专利号:
申请日期:	2020/4/8
第一发明人:	宋三年
第一发明人英文:
其他发明人:	李林,薛媛,宋志棠
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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