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一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备

专利名称:	一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2020105533722
专利号:
申请日期:	2020/6/17
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	刘少煜,郑理,俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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其他备注:
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专利摘要:
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