2025年7月16日 星期三
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一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备
专利名称: 一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备
申请号: 2020105533722
申请日期: 2020/6/17
第一发明人: 程新红
其他发明人: 刘少煜,郑理,俞跃辉