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一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法

专利名称:	一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2020105747312
专利号:
申请日期:	2020/6/22
第一发明人:	郑理
第一发明人英文:
其他发明人:	游晋豪,程新红,俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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