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具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法

专利名称:	具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2020108506464
专利号:
申请日期:	2020/8/21
第一发明人:	刘强
第一发明人英文:
其他发明人:	俞文杰；
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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