2025年5月28日 星期三
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基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法
专利名称: 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法
申请号: 2020108496091
申请日期: 2020/8/21
第一发明人: 刘强
其他发明人: 俞文杰;