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一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法

专利名称:	一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2020109620274
专利号:
申请日期:	2020/9/14
第一发明人:	伍文涛
第一发明人英文:
其他发明人:	林志荣；倪志；梁恬恬；王永良；张国峰；王镇；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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