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一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺

专利名称:	一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202011062480.6
专利号:
申请日期:	2020/9/30
第一发明人:	刘文柱
第一发明人英文:
其他发明人:	张丽平，刘正新，黄圣磊，李晓东
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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缴费情况:
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实施情况:
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