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一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法

专利名称:	一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2020111566954
专利号:
申请日期:	2020/10/26
第一发明人:	李阳
第一发明人英文:
其他发明人:	蔡道林,宋志棠,李程兴,崔紫荆
其他发明人英文:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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