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一种顶栅结构的制备方法及半导体结构

专利名称:	一种顶栅结构的制备方法及半导体结构
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021103311445
专利号:
申请日期:	2021/3/25
第一发明人:	狄增峰
第一发明人英文:
其他发明人:	刘冠宇；薛忠营；田子傲；张苗；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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国外授权日期:

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